為何SIC MOSFET短路耐受時間很??？

近些年來SIC技術成熟，SIC MOSFET價格大幅下降，應用領域進一步擴大。在不久的將來，它將成為新一代流行的低損耗電力設備。在具體的工程應用、設計和開發過程中，我們經常需要檢查SIC MOSFET分析開關特性、靜態特性和功率損耗，便于有效評估整個系統的效率。
 
為何SIC MOSFET短路耐受時間很??？
 
短路耐受時間(tsc)這是功率半導體器件一個非常重要的參數，這就是為什么它現在成為一個在SiC推廣和應用中多次提到的原因。SIC的短路能力相對于先進的Si基IGBT來講是低的。SIC宣傳這么強的材料特性，為什么短路能力這么不夠？
 
IGBT短路發生時，必須在10us或者在更短的時間內關掉IGBT，其他參數可以控制相同的短路能耗，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會因為過熱而失效。SIC MOSFET原來短路能力小，根本原因也是因為熱，是因為短路前后的溫度分布不科學！


本文關鍵詞：SIC MOSFET

相關文章：?SIC MOSFET隔離驅動要求

 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。